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本发明公开了一种双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法，其利用高深宽比位错捕获技术实现GaAs材料上InP外延以及GaAs系和InP系电池的单片集成，具体包括如下步骤：（1）在双面抛光的GaAs衬底的第一面上形成介质膜，并在其第二面上生...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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