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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法。本发明提出一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，通过在多晶硅栅极和有源区上设置等距等孔径的接触孔，并通过电子显微镜进行检测，得到有量化数值的在平面内工艺对准度的分布...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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