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本发明提供一种制备自对准镍硅化物的方法，首先，在包含源/漏裸露的半导体器件表面依次沉积第一含Pt镍薄膜层、第二含Pt镍薄膜层；其次，对器件进行第一次高温退火，并刻蚀除去高温退火后的器件中未反应的含Pt镍薄膜层；最后，对器件进行第二次高温退火...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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