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本发明公开了一种半导体级单晶硅生产工艺，包括以下步骤：一、横向磁场布设：所布设横向磁场的磁场强度为1300高斯±100高斯；二、硅原料及掺杂剂准备；三、装料；四、熔料；五、引肩及放肩；六、转肩：放肩结束后进行转肩时，以3±0.3mm/min...
该专利属于西安华晶电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安华晶电子技术股份有限公司授权不得商用。

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