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本发明涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀，其摩尔比为1：1～1.5：1；高真空热处理工序：将高纯Si和C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至9×10-4Pa以下，同...该专利属于上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。