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文档序号:7787492
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一种半导体器件,包括:衬底,嵌入到衬底中并具有多个开口的绝缘膜,形成在衬底中并位于这些开口中的多个虚拟扩散层,在电阻元件形成区域中形成在绝缘膜上使得在平面图中不与虚拟扩散层重叠并且在第一方向上延伸的多个电阻元件,和在电阻元件形成区域中形成在...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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