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本发明涉及抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法。本发明涉及的抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵，其中n是8～18的整数。通式(1)...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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