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本发明公开了一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成Ω形鳍片；在所述Ω形鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构；金属化。其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导体衬底相连以外，其余...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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