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本发明涉及一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及其装置，在坩埚的上方设置可移动绝热调节元件，生长碳化硅晶体时，随着坩埚盖上的晶体长厚，逐步增大可移动绝热调节元件与坩埚盖之间的距离D；其中，随晶体厚度增加，晶体对热流Q的热阻Rc将增大；可移动绝热...
该专利属于吴晟所有，仅供学习研究参考，未经过吴晟授权不得商用。

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