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本发明的基于SOI的纵向堆叠式后栅型硅纳米线场效应晶体管制备方法，包括：在SOI上交替沉积硅层和锗硅层，形成鳍形有源区并在鳍形有源区内形成硅纳米线，接着在源漏区之间形成隔离介质层；并在硅纳米线表面形成栅极氧化层；最后在所述鳍形有源区内的SO...
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