温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供的CMOS器件的制作方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括半导体衬底以及形成于其上的NMOS晶体管与PMOS晶体管；在所述NMOS晶体管以及PMOS晶体管的表面形成应力层；刻蚀所述应力层，露出PMOS晶体管的多晶硅栅极；采...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。