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一种降低介质电容的方法，属于半导体制造技术领域，在表面覆盖有硼磷硅玻璃BPSG的层间介质层上刻蚀形成通孔后，高温回流使硼磷硅玻璃BPSG层闭合，从而在BPSG下方形成位于层间介质层中的空气隙。本发明利用高B浓度BPSG的回流特性和膜流动性，...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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