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本发明公开制作分离栅极式快闪存储器单元的方法，包括提供依次形成有浮栅氧化层、浮置栅极材料层和至少一对控制栅极结构的衬底；在每对控制栅极结构的部分上表面和每对控制栅极结构之间形成第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜进行离子注入并对浮置栅极材料层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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