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本发明提供了一种提高共源运算放大器频率特性的MOS器件制造方法，通过利用中性离子对侧墙层进行离子注入，离子注入方向与垂直于所述衬底方向成一夹角且向源极方向倾斜，在共源极运算放大器的MOS器件的源漏端形成不同形貌的侧墙，使得刻蚀后漏极的侧墙宽...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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