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本发明提供一种大高宽比结构的去胶方法，在去胶工艺前先执行一步预清洗工艺，并在去胶工艺中定时掺入一些含卤素气体来改善去胶效果，能有效避免去胶残留，改善高宽比结构底部的平整度，有利于电学接触性能的提高；进一步地通过交替进行含卤素气体去胶和纯氧去...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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