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本发明提出的高压VDMOS器件结构在原有的VDMOS器件上增加栅极电阻，从而增强VDMOS器件的栅极抗电流冲击能力，大大增加对VDMOS器件栅极的保护，该器件结构简单，简化设计复杂度。同时本发明提出的高压VDMOS器件的制造方法可以在原有的...
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