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本发明涉及一种设备，其包括衬底(120)、所述衬底上的III族氮化物层(102、104、106)及所述III族氮化物层上的电触点(108a、108b)。所述电触点包括具有多个导电材料层(110到116)的堆叠，且所述堆叠中的所述层中的至少一...
该专利属于国家半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家半导体公司授权不得商用。

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