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这里公开了一种具有高位错密度的中间层的发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；基于氮化镓的n型接触层，设置在缓冲层上；基于氮化镓的p型接触层，设置在n型接触层上；活性层，插入在n型接触层和p型接触层之间；基于...
该专利属于首尔OPTO仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过首尔OPTO仪器股份有限公司授权不得商用。

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