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本发明公开了一种提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的方法，本发明在现有的芯片（1）的基极（b）与发射极（e）之间的P-N结上腐蚀出一圈环形隔离槽（2），使该环形隔离槽（2）的深度大于3μm并小于该P-N结的深度，然后在该环形隔离槽（2）中填充满绝...该专利属于中国振华集团永光电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国振华集团永光电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的方法，本发明在现有的芯片（1）的基极（b）与发射极（e）之间的P-N结上腐蚀出一圈环形隔离槽（2），使该环形隔离槽（2）的深度大于3μm并小于该P-N结的深度，然后在该环形隔离槽（2）中填充满绝...