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本发明揭示了一种用于浅槽隔离的化学机械抛光液。该抛光液至少含有一种硅基磨料、一种水溶性阴离子表面活性剂和一种pH调节剂，具有较高的二氧化硅去除速率和较低的氮化硅的去除速率，抛光后的表面平坦光洁，稳定性好，适用于浅槽隔离的化学机械平坦化。...
该专利属于安集微电子(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安集微电子(上海)有限公司授权不得商用。

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