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提高写入速度的浮体动态随机存储器单元及其制作方法技术
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文档序号:7327103
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一种提高写入速度的浮体动态随机存储器单元,包括:形成在底层硅上的氧埋层,所述氧埋层上方设置有若干第一MOS管和第二MOS管,每一个MOS管底部为衬底,衬底的两端接触浅沟槽隔离,所述衬底靠近所述浅沟槽隔离的上端分别设置有源端和漏端,所述源端和...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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