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本发明提供了一种用于改进蚀刻后晶圆内关键尺寸均匀性的曝光后烘烤方法及设备。其中，所述的方法包括如下步骤：涂覆光刻胶；光刻胶曝光；在光刻胶曝光后利用热板对晶圆进行烘烤；烘烤后的显影；以及在显影之后执行刻蚀；其中，所述热板包括不少于两个的加热环...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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