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本发明优化的多晶栅氧化硅硬质掩膜去除方法解决了现有技术硬质掩膜去除过程中对于浅沟槽和氧化栅侧壁的二氧化硅损耗较多的问题，本发明提出一种优化方案，将硬质掩膜的去除分布到侧墙、自对准工艺流程设计中，显著降低了湿法去除的使用量，从而将浅沟槽和氧化...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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