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杂质层形成方法、曝光用掩膜及固体摄像装置的制造方法。杂质层形成方法包括：在半导体基板(15)表面上形成抗蚀剂材料(16)的工序；使用光栅掩膜(10)曝光抗蚀剂材料的工序，该光栅掩膜具有由透射率相互不同的多个微小透射部(13A至13D)构成的...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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