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一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件是非易失存储器件，形成该非易失存储器件的方法包括：提供设置在第一绝缘层中并设置在半导体基板上的导电柱，在第一绝缘层上提供蚀刻停止层，在蚀刻停止层上设置模层，以及在模层中形成凹槽。凹槽分别沿第一方向在导...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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