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本发明公开了一种改善LDMOS性能一致性和稳定性的方法；在高能和低能注入之间，通过利用等离子体刻蚀调节光刻窗口的尺寸，包括以下步骤：步骤一、利用光刻形成倒置阱注入光刻胶窗口；步骤二、高能离子注入；步骤三、利用离子体刻蚀扩大光刻胶窗口；步骤四...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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