温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种NMOS晶体管形成方法及NMOS晶体管，所述形成方法包括步骤：提供半导体结构，其包括衬底，位于衬底上的栅极结构；在栅极结构两侧的衬底中形成凹陷；利用半导体材料填充所述凹陷，形成半导体材料层，在形成所述半导体材料层的过程中向所...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。