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在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法技术
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下载在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法的技术资料
文档序号:7219595
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本发明涉及在不增加掩膜层以及制备工艺程序的数量的前提下,提供的一种在一个分立的功率MOS场效应管内集成一个或多个传感场效应管的功率器件及其制备方法。该半导体器件包含一个主场效应管以及一个或多个传感场效应管;传感场效应管的晶体管部分被主场效应...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。
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