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本发明涉及紫外探测器技术领域，公开了一种GaN基p-i-p-i-n结构紫外探测器及其制备方法，该探测器自下至上依次包括用于生长AlxGa1-xN材料的衬底、n型层、i型倍增层、p型过渡层、i型光敏吸收层和p型层，其中，0≤x≤1。本发明的探...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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