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本发明提出一种改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法，包括下列步骤：提供具有铜金属层的半导体基底；在所述铜金属层上沉积第一介电质层；在所述第一介电质层上沉积第二介电质层；在所述第二介电质层上沉积低K值薄膜，其中，所述第一介电质层为氮化硅薄膜...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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