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本发明提供太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池（１０），具有半导体基板（１１）和形成在半导体基板（１１）背面上的ｉ型非晶半导体层（１２），其中，ｉ型非晶半导体层（１２）包括在平面视图中露出的露出部（１２Ａ），和被ｐ型非晶半导体层（１３）和ｎ...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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