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提供了一种单片集成光生伏打模块。该模块包括绝缘衬底和位于衬底之上的下电极。该模块还包括：下电极之上的微晶硅层的下堆叠；下堆叠之上的非晶硅层的上堆叠；以及上堆叠之上的上电极。硅层的上堆叠和下堆叠具有不同的能带隙。该模块还包括在硅层的下堆叠和上...
该专利属于薄膜硅公司所有，仅供学习研究参考，未经过薄膜硅公司授权不得商用。

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