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本发明公开了一种非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法，可增大浮置—控制栅极间的电容，该非易失性半导体存储器晶体管具备：岛状半导体，从硅衬底侧依序形成源极区域、沟道区域及漏极区域；浮置栅极，以包围沟道区域的外周的方式使隧...
该专利属于新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司授权不得商用。

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