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一种发光二极管磊晶结构，包括一硅基板及一半导体结构层，该硅基板上形成有一图案化的介质层及阻隔层，该半导体结构层与基板之间形成有多个分离的孔隙。本发明的磊晶结构由于在半导体结构层与基板之间形成有多个孔隙，二者之间由于热膨胀系数差异而导致残留的...该专利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司授权不得商用。