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本发明公开了一种使用球形沟槽的功率器件。圆形或者椭圆形的沟槽底部，使得电场的分布更加分散，降低了凹槽底部的最大电场。在沟道处使用薄的栅介质层，在圆形或椭圆形的沟槽底部使用厚的栅介质层，减小了栅极寄生电容，从而降低了开关功耗，提高了器件的开关...
该专利属于苏州东微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东微半导体有限公司授权不得商用。

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