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一种太阳能电池制造过程中提高电池片少子寿命的扩散方法。包括步骤有：金属杂质在二氧化硅的溶解度大于在晶体硅中的溶解度，先在800℃左右通氧气在晶体硅表面形成一层二氧化硅薄膜；再升温至1000℃让金属杂质扩散至硅表面溶解于二氧化硅中；然后降温至...
该专利属于桂林尚科光伏技术有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桂林尚科光伏技术有限责任公司授权不得商用。

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