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本发明公开了一种在树脂基片上使用磁控溅射制备ITO膜的方法，该方法具体步骤包括：a、将树脂基片放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；b、将树脂基片运送至加热室，将基片加热至150～250℃；c、将加热后的树脂基片运送至溅射室，采用磁控...
该专利属于芜湖长信科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖长信科技股份有限公司授权不得商用。

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