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本发明提供一种包含中介层的半导体元件，其中中介层包括：一基板；以及至少一介电层形成于基板上。多个基板穿孔(TSVs)穿过基板。第一金属凸块形成于介电层中且与多个基板穿孔电性耦合。第二金属凸块位于介电层上。裸片埋设于介电层中且接合到第一金属凸...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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