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本发明公开了一种接触孔的刻蚀方法：对层间介质层进行第一步主刻蚀，将刻蚀进行到氮化层的上方时停止；对所述层间介质层进行第二步主刻蚀，以层间介质层下的氮化层作为刻蚀终止层；所述第一步主刻蚀采用的源功率为1500～3000瓦；偏置功率为2000～...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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