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本发明公开了一种InGaN太阳能电池外延片及其制备方法。所述外延片的结构从下至上依次为衬底、缓冲层、n型层、吸收层Ⅰ、吸收层Ⅱ和p型层，所述吸收层Ⅰ为量子阱层结构，吸收层Ⅱ是非故意掺杂InGaN。本发明在现有量子阱太阳能电池的结构基础上增加...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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