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本实用新型涉及一种薄膜磁电阻传感元件，用来检测垂直于其所沉积的基片平面的磁场分量，该传感元件包括自由层、参考层、位于自由层和参考层之间的隔离层，自由层材料固有的易轴被设置成垂直于其所沉积的基片平面，参考层中的磁化方向限制为平行于基片平面的方...
该专利属于江苏多维科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏多维科技有限公司授权不得商用。

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