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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供待蚀刻的晶片，该晶片顶层形成有一金属层；在晶片上涂覆第一光致抗蚀剂层；对晶片进行第一次曝光和显影，以形成第一图案；对晶片进行第一次蚀刻，以蚀刻掉金属层的第一部分；去除第一光致抗蚀剂层；进行湿法清...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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