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本发明公开了一种离子注入系统，其包括：一离子源和一引出装置，一质量分析磁铁，一第一加速减速装置，一偏转磁铁，一第二加速减速装置，一工件扫描装置；该偏转磁铁使该预设荷质比范围内的离子束发散；该系统还包括一设于该偏转磁铁与该第二加速减速装置之间...
该专利属于上海凯世通半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海凯世通半导体有限公司授权不得商用。

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