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本发明提供了一种FinFET器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的鳍结构；以及覆盖所述衬底和鳍结构下部的功函数调谐层。本发明还提供了一种形成制造FinFET器件的方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成鳍结构；覆盖所述衬底和鳍结构的下部...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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