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复合半导体器件，其包括：基板；形成在基板上的复合半导体层；形成在复合半导体层上的第一绝缘膜；形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及各自形成在复合半导体层上的栅极、源极和漏极，其中栅极由经由至少栅绝缘层填充有第一导电材料的第一开口形成，且第一开...
该专利属于富士通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士通半导体股份有限公司授权不得商用。

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