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本发明为进一步处理保护硫化镉的器件及方法。提供了用于保护衬底12上硫化镉层18的方法。在一个具体实施例中，该方法能包括：在10mTorr到约150mTorr的溅射压力，从硫化镉靶将硫化镉层18溅射到衬底上，并在硫化镉层上直接溅射盖层19。盖...
该专利属于初星太阳能公司所有，仅供学习研究参考，未经过初星太阳能公司授权不得商用。

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