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本实用新型涉及一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构,其包括信号延时电路及抗单粒子锁存电路;信号延时电路的延时时间大于单粒子瞬态扰动产生的最大脉冲宽度;抗单粒子锁存电路同时接收并比较外部输入信号及所述外部输入信号经过信号延时电路输出的外部输...该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。
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本实用新型涉及一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构,其包括信号延时电路及抗单粒子锁存电路;信号延时电路的延时时间大于单粒子瞬态扰动产生的最大脉冲宽度;抗单粒子锁存电路同时接收并比较外部输入信号及所述外部输入信号经过信号延时电路输出的外部输...