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提供一种具有有利电特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极；栅绝缘层；半导体层，它包括微晶半导体区和非晶半导体区；杂质半导体层；布线；第一氧化区，设置在微晶半导体区与布线之间；以及第二氧化区，设置在非晶半导体区与布线之间，其中，在从所述布线...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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