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本发明属于一种高效的抗辐射中红外激光晶体，在Er3+:Gd3Sc2Ga3O12(Er:GSGG，其中Er3+的掺杂浓度高于30at％)晶体中掺入Ho3+或Pr3+，表达式可写为Re3+，Er3+:Gd3Sc2Ga3O12(Re＝Ho，Pr)...
该专利属于中国科学院安徽光学精密机械研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院安徽光学精密机械研究所授权不得商用。

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