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本发明涉及晶体硅(p型)太阳能电池中由铝、硼共掺杂形成的一种梯度型背表面场，采用多层膜技术路线通过电极共烧过程一次形成。本发明根据硼在晶体硅中的固溶度显著大于铝在晶体硅中固溶度的特点，借助铝与硅材料之间能够在较低温度下形成共熔体的物理化学特...
该专利属于福建省上杭县九洲硅业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省上杭县九洲硅业有限公司授权不得商用。

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